一如之前預(yù)告的那樣，三星在今天正式宣布了 3nm 工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺(tái)積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn) GAA 晶體管工藝，技術(shù)上也是全面壓制了臺(tái)積電，后者要到 2nm 節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上 GAA 工藝。

　　根據(jù)三星所說(shuō)，在 3nm 芯片上，其放棄了之前的 FinFET 架構(gòu)，采用了新的 GAA 晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。

　　與 5nm 相比，第一代 3nm 工藝能夠降低 45% 的功耗，減少 16% 的面積，并同時(shí)提升 23% 的性能，第二代的 3nm 工藝可以降低 50% 的功耗，提升 30% 的性能，同時(shí)面積減少 35%，效果更好。

　　對(duì)于三星搶先量產(chǎn) 3nm GAA 工藝，韓國(guó)媒體及專家自己表態(tài)積極，但臺(tái)灣的分析師態(tài)度就不一樣了，工研院產(chǎn)科國(guó)際所研究總監(jiān)楊瑞臨認(rèn)為三星就是趕鴨子上架。

　　之所以這么評(píng)價(jià)，楊瑞臨認(rèn)為 GAA 晶體管生態(tài)目前完全沒有成熟，相關(guān)的蝕刻及測(cè)量問題還沒有解決，材料、化學(xué)品也要提升。

　　此外，他不看好三星 3nm GAA 工藝的原因還跟成本有關(guān)，認(rèn)為三星現(xiàn)在這樣做會(huì)增加成本，交付期延長(zhǎng)，良率提升慢，品控也不見得好，進(jìn)而導(dǎo)致三星難以對(duì)客戶報(bào)價(jià)，目前 3nm GAA 工藝只有三星自己在用，不會(huì)有外部的客戶使用。
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